Исследователи из Швеции разработали метод улучшенной металлизации отверстий при производстве чипов высокой плотности. Новая технология позволяет равномерно заполнять отверстия материалом по всей глубине за счет добавления в среду тяжелого нейтрального газа ксенона. Это способствует увеличению плотности расположения ячеек памяти и созданию большего количества ячеек в каждом слое чипа.
Источник: @qwerty_live
Студенты Университета Западной Шотландии создали первый в мире высокоточный портативный прибор для обнаружения радиации. Основные достоинства этого детектора LaBr3 (Ce) включают: Высокую точность – он способен обнаруживать редкие изотопы и…
Не пропустите первую лекцию лектория N + Offline после долгого перерыва. Она состоится уже в среду и будет посвящена развитию солнечной энергетики. Лектором на этот раз будет доктор технических наук…
