Исследователи из Швеции разработали метод улучшенной металлизации отверстий при производстве чипов высокой плотности. Новая технология позволяет равномерно заполнять отверстия материалом по всей глубине за счет добавления в среду тяжелого нейтрального газа ксенона. Это способствует увеличению плотности расположения ячеек памяти и созданию большего количества ячеек в каждом слое чипа.
Источник: @qwerty_live
Обзор наиболее значимых событий в области технологий и науки за прошедшую неделю. Китай приблизился к запуску компактного термоядерного реактора, что может значительно изменить энергетику и ускорить развитие чистых источников энергии.…
Компания Tesla объявила о создании нового исследовательского учреждения в районе Берлине-Кёпенике, запуск которого запланирован на 2026 год. В рамках этого проекта планируется трудоустроить до 250 специалистов, включая инженеров и ученых,…
