Выращены «слоеные» трехмерные чипы

Электронная промышленность достигла предела плотности размещения транзисторов на поверхности чипа, поэтому производители переходят к вертикальному наращиванию. Вместо уменьшения компонентов, они стремятся складывать несколько слоев транзисторов и полупроводниковых элементов. Однако существующие технологии требуют использования громоздких кремниевых пластин в качестве основы для каждого слоя, что замедляет связь между ними.

Инженеры Массачусетского технологического института разработали многослойную конструкцию чипа без кремниевых подложек, работающую при низких температурах. Выращивать слои полупроводникового материала можно непосредственно друг на друге, создавая высокопроизводительные транзисторы, память и логику на любой кристаллической поверхности. Это позволит в разы увеличить количество транзисторов на чипах и создавать мощное аппаратное обеспечение для искусственного интеллекта.

Источник: @htech_plus